Schwachstellen in DRAM-Speichern

ETH entdeckt

Schwachstellen in DRAM-Speichern

Forschende der ETH Zürich haben schwerwiegende Schwachstellen in DRAM-​Datenspeichern entdeckt, die in Computern, Tablets und Smartphones benutzt werden. Die Schwachstellen sind nun gemeinsam mit dem Nationalen Zentrum für Cybersicherheit (NCSC) veröffentlicht worden.

Quelle: COM! – Das Computer Magazin